
氟摻雜二氧化錫納米顆粒
氟摻雜二氧化錫納米顆粒
F-doped tin dioxide nanoparticles
二氧化錫(SnO2)是一種寬禁帶n型金屬氧化物半導體材料。SnO2 晶體屬于四方晶系正方形晶體,晶體呈雙錐狀、錐柱狀,有時呈針狀,為金紅石結構,其晶格常數為 a=b=0.4738 nm,c=0.3187 nm。純SnO2的理論密度為6.95 g/cm3,在常溫下表現為絕緣狀態,電阻率很高,電學、光學和氣敏性能等難以滿足使用要求。對二氧化錫進行摻雜后,其性質有顯著變化,具有高導電率、高透射率以及較好的氣敏特性等,因此摻雜 SnO2已廣泛應用到氣體傳感器、催化、涂料、電極材料等諸多領域。 XFI53為氟摻雜二氧化錫(FTO),是一種重要的透明導電氧化物。
技術參數
直徑:~25-45nm
氟含量:~2.5at%
比表:~20.57m2/g
照片粉末顏色因調光有略微差異,具體以收到實物為準
產品特點
低電阻率:通過氟摻雜,二氧化錫的電阻率顯著降低,提高了其導電性能。
化學穩定性:摻雜氟后二氧化錫的化學穩定性提高,能耐酸、堿和大氣環境的侵蝕,也能耐受高溫退火處理。
耐熱性:相比其他透明導電材料,氟摻雜二氧化錫的耐熱性更佳,在高溫環境下仍能保持穩定的性能。
紫外吸收能力強:氟摻雜二氧化錫對紫外光的吸收系數大,具有一定的紫外屏蔽能力。
應用
太陽能電池:FTO作為透明電極材料,廣泛應用于染料敏化太陽能電池和鈣鈦礦太陽能電池中,提高了電池的光電轉換效率。
顯示器:在液晶顯示器(LCD)和有機發光二極管(OLED)顯示器中,FTO作為透明導電層,用于實現像素的尋址和驅動。
氣敏元件:FTO薄膜可以作為氣敏元件的敏感層,用于檢測空氣中的有害氣體或揮發性有機化合物(VOCs)。
建筑幕墻玻璃及透明視窗:FTO薄膜可以涂覆在建筑幕墻玻璃和透明視窗上,提供導電、防靜電和防霧等功能。
其他應用:FTO還可以用于傳感器、數字顯示器、智能窗口涂料、催化劑支架等多種領域。




